2015年下半年注定似乎注定是快速充电技术爆发的元年，各种集成快充功能的电子产品相继面世，而快充移动电源方案也不甘落后，有的产品更是充电和放电都采用了快速充电的技术。作为消费者却不是每个人都在使用这类快充的产品，甚至有的人还不知道，高通QC2.0快充还没用上，而QC3.0却已经正式发布了。据报道，高通在宣布骁龙430、617的两款新品的同时，还发布了新一代快速充电技术：Quick Charge 3.0，号称比上一代效率提升38%，快速充电速度最高达27%，同时帮助保护电池寿命周期。

　　据高通介绍，Quick Charge 3.0首次采用了“最佳电压智能协商”(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV)算法，可在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。

　　据了解，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。相比两代产品：

　　1、与Quick Charge 2.0相比，提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%。

　　2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。

　　充电电压方面，Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

　　此外，Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及充电器(包括USB Type-C)前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。

　　首批支持Quick Charge 3.0技术的处理器包括骁龙820、骁龙620、骁龙618、骁龙617和骁龙430，终端预计明年上市。